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發行期數：第 916 期
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陸換道超車 伺機從半導體第三次競爭力轉移中勝出
來源：經濟日報
文／張明杰（富拉凱投資銀行首席經濟學家） 9月3日費半指數大跌5.7％、創6月以來最大單日跌幅，市場將之歸因於大陸十四五計劃即將積極發展第三代半導體；嚴格言之，大陸半導體產業競爭力已不可同日而語，不僅在第一、二代半導體的存量市場上步步進逼，更且挾5G及新能源汽車等增量市場競爭優勢，舉全國之力、押寶第三代半導體。 半導體產業的三次競爭力轉移 全球半導體發展源起美國的品牌及產品創新模式，1963年NEC取得美技術授權並將之分享給三菱及京都電氣，日半導體產業體系於焉成型，並倒逼美企從DRAM市場退出，開啟全球半導體產業的第一次競爭力轉移。 1974年美韓合資成立首家韓國半導體企業，拜1986年美日半導體協議及政府政策支持之賜，以三星等財團為主的韓半導體企業在第二次競爭力轉移中出線。1976年台灣工研院電子所與RCA簽約引進半導體製程技術，同樣也是在政策支持下，透過晶圓代工商業模式與韓國一起在全球半導體產業的第二次競爭力轉移中勝出。 近年來，大陸藉由大基金一期及二期計劃逐步建構起完整半導體產業鏈；而今，隨5G及新能源汽車等增量市場的蓬勃發展，準備透過十四五計劃、領跑第三代半導體產業，俾便從全球半導體產業的第三次競爭力轉移中脫穎而出。 大基金一期聚焦產能不足及設計技術落後問題 2014年頒布的《國家積體電路產業發展推進綱要》定調出設計為龍頭、製造為基礎及設備與材料為支撐的產業發展政策；同年9月大基金一期成立、聚焦解決晶圓製造產能不足及IC設計技術落後問題，材料及設備投資著墨不多。天眼查數據顯示，大基金一期累計投資項目71個，直接間接持有17家及六家上市公司股權，另投資22家未上市公司及26檔產業基金；晶片製造占比67％、IC設計17％、封測10％、設備及材料6％。 近年來，台灣最引以為傲的半導體產業也開始感受到大基金一期的競爭壓力；2020年Q1全球十大晶圓代工廠營收排名，中芯國際第五、市場占比4.5％；今年上半年華為海思營收激增49％、躍居全球第十大半導體廠；陸封測三雄江蘇長電、天水華天及通富微電名列2020年Q2全球第四、第六及第七大封測廠；合肥長鑫、長江存儲、福建晉華等記憶體IC廠也將自今年開始為全球記憶體IC市場帶來價格破壞性衝擊。 大基金二期重點扶持半導體設備和材料國產化 2008年推出的「02專項」實現了大陸國產半導體設備從零到有的第一大步跨越，培育出北方華創及中微等知名半導體設備廠商，長江存儲蝕刻機訂單國產化占比從2017年的7％提升到2018至2019年的19％。 去年10月人民幣（下同）2,041.5億元的大基金二期註冊成立、重點扶持半導體設備和材料國產化；國務院8月4日發布的《關於印發新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策通知》，除28奈米及以下製程項目／企業可十年免徵企業所得稅外，同樣聚焦高端芯片、設備、材料及EDA 等半導體底層關鍵技術的研發與創新。 大陸半導體設備國產化比率目前5％～10％，半導體材料國產化比率稍高但僅15％～20％；大陸國際招標網資料顯示，國產設備可進入28奈米及以下晶圓製造產線的品牌至少十家以上；其中江豐電子（超高純度濺射靶材）及中微已具備7及5奈米製程部分設備與材料供應能力，北方華創及盛美半導體則具備14奈米製程部分設備及材料供應能力。 第三代半導體成產業競爭力轉移新藍海 光資通訊產品一直是第一、二代半導體蓬勃發展最重要驅動因子，以碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）為首的第三代半導體具高功率、高頻及抗幅射等特性，可廣泛應用於5G、新能源汽車及新一代顯示器等電子產業新藍海。 2004年大陸開始第三代半導體的研發與部署，2013年863計劃將第三代半導體材料及應用列為重要內容，十三五計劃亦將之列為國家科技創新2030重大項目。今年7月，三安光電斥資160億成立第三代半導體產業園，在此之前，華為旗下的哈勃科技更領先成為大陸第三代半導體材料碳化矽龍頭企業；此外，還有揚傑、士蘭微及聞泰科技等多家國內第三代IDM大廠也開始紛紛加入布局。 愛集微報導指出2019年大陸共有17項第三代半導體投資項目，投資金額265.8億元、較2018年增長60％。8月27日在南京舉行的第三代半導體產業發展高峰論壇上，大陸第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲透露，國家2030計劃和十四五計劃已明確第三代半導體的重要發展方向，開始進入實施方案討論階段；2030大陸第三代半導體產業將力爭全產業鏈進入世界先進行業國產化率逾70％、在核心環節有一至三家可成為世界龍頭企業。 大陸5G領先全球最早商用落地，同時躋入新能源汽車等新終端應用全球第一梯隊；加上目前並無任何國家可以在第三代半導體材料市場取得絕對領先優勢，當然會想伺機彎道超車、俾便在第三次競爭力轉移中脫穎而出。《原始全文》
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