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    題:
    碇基半導體雙面散熱GaN氮化鎵電晶體 獨家獲DMTBF測試驗證
    類:
    企業故事館/電子資訊業/電子零組件
    刊登日期:
    2024/02/27
    資料來源:
    聯合新聞網/ 經濟日報
    容:
    Semiconductor Inc)宣布,近期推出最新雙面散熱GaN氮化鎵場效應電晶體,Between Failures) 測試,驗證碇基獨有的雙面散熱元件FET-E6007PD020其專利雙面散熱結構能有效地分離電氣和熱,進一步解決高功率產品的熱導問題。除了此款650V雙面散熱的GaN元件FET-E6007PD020,碇基半導體將持續拓展產品線,提供更多樣化的氮化鎵元件,碇基半導體雙面散熱GaN氮化鎵電晶體 獨家獲DMTBF測試驗證
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