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聯電 強攻第三代半導體
聯華電子股份有限公司
刊登日期：2021/12/29 上午 01:25:00 資料來源：聯合新聞網/ 經濟日報
聯電正透過旗下聯穎布局第三代半導體，鎖定6吋氮化鎵產品。聯電透露，由於目前業界氮化鎵整體解決方案提供者較少，聯穎正在進行技術平台建置，完成後會把平台開放給設計公司客戶使用，擴大接單利基。聯電集團相當重視第三代半導體研發，不僅動員母公司聯電資源，也跨海與在半導體先進晶片技術研發執牛耳的比利時微電子研究中心（imec）合作。比利時微電子研究中心應用領域從基因定序到自動駕駛，是全球需求所在，晶圓代工龍頭台積電的研發夥伴也少不了它。比利時微電子研究中心並曾攜手華為和高通，協助大陸晶圓代工龍頭中芯成立一家研發公司，其重要性連大陸總理李克強都曾遠渡重洋到歐洲拜訪。美中科技戰打得火熱，各國積極建立半導體自產能力之際，比利時微電子研究中心成為各國政治領袖積極拉攏協助建立自主半導體能量的對象，其重要性可見一斑。聯電與比利時微電子研究中心合作，在第三代半導體戰力將大為加分。聯電強調，在6吋氮化鎵領域站穩腳步之後，也將展開碳化矽（SiC）布局，並朝8吋晶圓發展。劉啟東透露，聯穎第三代半導體製程將以CMOS製程做轉換，未來有機會將伺機尋求生產擴充的空間。
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