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尼克森 衝刺第三代半導體
尼克森微電子股份有限公司
刊登日期：2022/5/16 下午 08:05:08 資料來源：工商時報
MOSFET廠尼克森持續衝刺第三代半導體市場，2022年公司將投入第二代1200V的碳化矽Power MOSFET平台、650V的絕緣柵雙極電晶體（IGBT）及氮化鎵（GaN）等相關新品，可望持續替未來持續成長的工控、車用電子市場打下技術基礎，推動後續業績維持成長動能。尼克森近年來開始擴大布局第三代半導體市場，除先前的SiC、IGBT等產品線外，進入2022年後，根據尼克森最新公布的年報中顯示，公司已開始著手開發第二代碳化矽1200V的Power MOSEFT、650V的IGBT及氮化鎵600V等產品線。法人指出，目前尼克森在第三代半導體市場雖尚處於少量出貨階段，但隨著車用電子及工業用市場都開始大量導入SiC、GaN等產品，後續市場規模將有望逐步延伸到物聯網、消費性等市場，尼克森可望透過提前布局的基礎，快速切入其中，藉此帶動營運穩健向上成長。法人指出，雖然2022年的筆電、消費性市場需求逐步放緩，目前MOSFET市場需求仍相當熱絡，加上晶圓代工廠產能依舊維持吃緊狀態，且尼克森已經在最新公布的年報當中指出，公司將會擴大工業用電源管理及充電等市場，並持續開發第三代半導體材料技術等相關產品線，後續營運仍有望持續向上成長。
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