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力旺和聯電合作22奈米RRAM可靠度驗證 提供低功耗記憶體解決方案
聯華電子股份有限公司
刊登日期：2023/3/28 下午 09:41:37 資料來源：經濟日報/ 聯合報
力旺電子技術長暨第二事業群總經理林慶源表示，對40奈米、22奈米和高階製程而言，RRAM是不可或缺的多次編程嵌入式記憶體選項。力旺的下一個RRAM開發目標是對應汽車應用需求，在22奈米 0.8V/2.5V 平台實現更高的儲存密度(16Mb)、更快的速度、更高的寫入溫度耐受度和持續提升的覆寫能力。力旺繼續推進在0.8V/1.8V ULP上的開發。憑藉其用於讀取和寫入模式的低工作電壓，力旺的RRAM將成為主流技術平台上最具成本效益的eFlash解決方案，並可擴展至更多製程節點。聯電技術開發部副總經理徐世杰表示，隨AIoT應用不斷地拓展，市場對低功耗非揮發性記憶體的需求逐漸增加。力旺電子的IP成功的在聯電22奈米RRAM平台完成驗證，為客戶在開發下一代產品時提供更強大的記憶體解決方案。聯電致力於提供多元和差異化的特殊製程技術，很高興與力旺電子合作，持續強化AIoT與車用市場的嵌入式記憶體方案。與分離閘快閃記憶體(split-gate Flash)相比，RRAM具有相對簡單的結構、使用較少層的光罩、較友善的製程和更高的CMOS製程兼容性。
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