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台積電次世代記憶體大突破 搶食AI、高效能運算商機
台灣積體電路製造股份有限公司
刊登日期：2024/1/18 下午 01:26:36 資料來源：聯合新聞網/ 經濟日報
台積電搶先報喜，在次世代MRAM記憶體相關技術傳捷報，攜手工研院開發出自旋軌道轉矩磁性記憶體（SOT-MRAM）陣列晶片，搭配創新的運算架構，功耗僅其他類似技術的1%，稱霸業界，為台積電搶攻AI、高效能運算（HPC）等當紅商機增添動能。業界指出，AI、5G時代來臨，包括自駕車、精準醫療診斷、衛星影像辨識等應用，都需要更快、更穩、功耗更低的新世代記憶體，MRAM採用硬碟中常見的精緻磁性材料，能滿足新世代記憶體需求。過去MRAM主要應用在車用或基地台等，由於MRAM架構特性，使得資料保存、寫入耐久性及寫入速度等三大特點並無法兼得，數年前出現自旋轉移扭矩（STT-MRAM）更新架構，解決上述三大特點無法兼得的問題，並進入商用化。台積電已經成功開發出22奈米、16／12奈米製程等相關MRAM產品線，並手握記憶體、車用等市場訂單，搶占MRAM商機。台積電乘勝追擊，與工研院攜手開發出SOT-MRAM陣列晶片，搭配創新的運算架構，代表未來不論高效能運算、AI及車用晶片等相關市場，都有機會採用SOT-MRAM，台積將大咬商機。
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