:::
7奈米製程大亂鬥，台積電與三星技術訴求各不同
台灣積體電路製造股份有限公司
刊登日期：2018/11/13 上午 09:14:33 資料來源：數位時代
10奈米以上由眾多廠商分食，由台積電、美國的Intel、Global Foundries與韓國三星形成美中韓三大陣營。10奈米以下製程，則因為美國Global Foundries宣布無限期展延7奈米製程，Intel尚無法突破在10奈米製程瓶頸的結果，7奈米製程由台灣台積電與韓國三星雙雄稱霸。廠商在7奈米先進製程的競爭勝出因素在於穩定的量產性與良率表現，影響客戶下單的意願。工研院IEK分析，台積電的7奈米「走穩扎穩打」路線，量產初期使用深紫外光刻（DUV）曝光，利用沉浸式曝光和多重曝光技術平穩轉進7奈米。而第一代7奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程已經在2017年第二季進入試量產階段，與10奈米FinFET製程相比，7奈米FinFET製程可以在電晶體數量相同的情況下使晶片減少37%，或在電路複雜度相同的情況下降低40%功耗。等到DUV穩定後，再轉換到極紫外光（EUV）曝光10奈米以下製程，針對EUV最佳化布線密度可減少10%到20%的面積，或在電路複雜度相同的情況下，比第一代7奈米FinFET再降低10%功耗。而三星則走大膽前進路線。直接搶進7奈米 EUV，而在7奈米之後則規劃使用第二代EUV曝光技術的6奈米製程，屬於7奈米EUV技術的加強版，電器效能更好。在2018年下半年試產使用7奈米EUV技術產品，大規模投產時間為2019年下半年，而6奈米製程應該會在2020年後出現。
相關品牌館
相關人物館
相關企業館
