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聯電推55奈米BCD平台 搶市占
聯華電子股份有限公司
刊登日期：2025/10/23 下午 01:24:44 資料來源：工商時報
聯電於22日推出全新的55奈米BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）平台。專為電子產品電源管理需求設計，能實現更小的晶片面積、更低的功耗，以及卓越的抗雜訊表現。支援三種製程架構：Non-EPI（非磊晶）、EPI（磊晶）和SOI（絕緣層上覆矽）。整合了超厚金屬層（UTM）、嵌入式快閃記憶體（eFlash）及電阻式記憶體（RRAM）等多項模組，可讓晶片兼具資料儲存與電源控制功能。此平台鎖定車用電子、行動裝置與工業控制等對可靠度要求高的高階市場。BCD技術是電源管理晶片（PMIC）的核心製程，全球BCD晶片市場預期將保持高個位數成長。聯電此舉意味著特殊製程布局進一步深化，有助於強化在電源管理與混合訊號晶片領域的市占基礎。55奈米BCD在製程尺寸與電壓承受力之間取得平衡，成為主要IDM廠（如TI、ST）近年新產品的重要節點，聯電藉此可擴大在車用供應鏈的滲透率，提升在車用PMIC與馬達驅動IC代工市場的競爭力。聯電此平台有機會在2026年後帶來穩定出貨動能。
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