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經濟部補助世界先進1.5億 助第三代半導體產品開發
世界先進積體電路股份有限公司
刊登日期：2024/2/15 下午 08:27:00 資料來源：自由財經
經濟部近日召開A+企業創新研發淬鍊計畫決審會議，世界先進計畫獲得新台幣1.5億元補助，擬發展全球首例化合物半導體氮化鎵磊晶於8吋QST基板（GaN-on-QST），以及1200V高效能氮化鎵功率元件製程技術，主要用於車用及工業應用市場。根據研究機構Yole預估，2028年GaN整體市場需求將超過20億美元。技術司表示，計畫於2024年啟動，預計3年內完成開發進入量產，同時整合國內上下游產業，建立完整自主生態供應鏈，預估衍生投資所帶來效益，可帶動上下游產業整體潛在就業機會，並以每年超過10%的比例持續成長。全方位布局將可強化台灣於化合物半導體領域的自主開發實力，極大化氮化鎵於電動車、數據中心電源系統、再生能源儲能系統等市場的市占率，進而在全球競爭中獲得戰略優勢。
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