「半導體通膨」來了！陸行之：未來20~30年晶圓代工年年漲價
刊登日期：2021/7/12 下午 09:00:36 資料來源：數位時代
面對第三代半導體各國競爭，陸行之坦言台灣相對落後，碳化矽跟氮化鎵兩大類材料的應用主要是手機充電用轉換器，可以做得小，另一個是用於5G的基板上，讓基站可以快速通訊，碳化矽可以做600伏特的車用充電及驅動馬達，但價格比IGBT貴一倍以上，但體積可以更小，特斯拉Model 3都已經改用。陸行之說，氮化鎵基板目前技術做最好是GREE及ROHM，而設計晶片最領先是意法半導體，做模組的是英飛凌及意法半導體、天柯合達、山東天岳等中國公司，車用市場在第三類半導體是重中之重，中國有強大的下游市場可以培植產業，所以確實中國在模組端有辦法慢慢往上游發展。陸行之表示，中國有7成多晶矽產能，但在大的矽晶圓片產能佔有率很低，因為中國的原料可以控制達11個9的純度，晶圓就沒辦法。加上美國將很多中國半導體公司列入實體清單，所以中國也盡量不用美國半導體設備，但美國佔有率5成，不用很難，只能透過買二手美國設備或日韓歐洲台灣設備組一條線，但能否做到7奈米製程是有困難的，因為ASML是EUV龍頭，其Cymer微影光源元件的雷射是用美國的，所以中國要發展自己的光刻機是不可能的。美國跟中國現在都用獎勵方式鼓勵半導體，但美國控制很多核心技術，有卡到中國半導體發展技術，但中國有豐富的生態系，半導體產業發展仍然會高於產業平均水準，陸行之則形容美國有點像「睡獅終於醒了」，擔心所有東西都被人捧走，因此藉故用車用半導體缺貨這個理由去推動半導體產業，該政策最大受惠者就是英特爾，其次是TI跟美光。英特爾也投書倡議，指責台積電，強調若來美國搶投資獎勵，但技術仍留在台灣的話，不應該給這些人獎勵！陸行之指出，某種程度上，英特爾雖用台積電製程，但某種程度也是敵人。
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