世界先進宣布0.35微米高壓氮化鎵製程邁入量產
刊登日期：2022/11/22 下午 04:05:00 資料來源：聯合新聞網/ 聯合報
專業8吋晶圓代工廠世界宣布，其領先的八吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵製程（GaN-on-QST）已於客戶端完成首批產品系統及可靠性驗證，正式進入量產，為特殊積體電路製造服務領域首家量產此技術的公司。2018年，世界司以Qromis基板技術（簡稱QST TM）進行8吋QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST製程開發，於今年第1季開發完成，於第4季成功量產，世界同時已和海內外整合元件製造（IDM）廠及IC設計公司展開合作。QST基板相較於以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹係數（CTE），在製程中堆疊氮化鎵的同時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利於實現量產。世界的0.35微米650 V GaN-on-QST製程能與公司既有的8吋矽晶圓機台設備在開發與生產上相互配合使用，以達最佳生產效率及良率。世界營運長尉濟時表示：「世界先進公司身為特殊積體電路製造服務的領導廠商，不斷精進製程技術，以提供客戶最具效益的完整解決方案及高附加價值的服務。我們的0.35微米650 V GaN-on-QST製程具備效能及可靠性優勢，不僅提供客戶更優化的積體電路設計選擇，亦協助提升客戶產品的競爭力。」世界0.35微米650 V GaN-on-QST製程除了650 V的元件選擇外，也提供內建靜電保護元件（ESD），客戶得以更便利的進行設計選擇。此外，該製程除具備更優異的可靠性與信賴性，針對更高電壓（超過1,000 V）的擴充性，世界司也已經與部分客戶展開合作，以滿足客戶的產品需求。
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