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聯華電子推出業界首項RFSOI 3D IC解決方案 加速5G時代創新
聯華電子股份有限公司
刊登日期：2024/5/2 下午 05:03:12 資料來源：經濟日報
聯華電子今（2）日宣布，推出業界首項RFSOI製程技術的3D IC解決方案，此55奈米RFSOI製程平台上所使用的矽堆疊技術，在不損耗射頻（RF）效能下，可將晶片尺寸縮小45%以上，使客戶能夠有效率地整合更多射頻元件，以滿足5G更大的頻寬需求。聯電技術開發處執行處長馬瑞吉（Raj Verma）表示，以創新射頻前端模組的3D IC技術為客戶打造最先進的解決方案。這項突破性技術不僅解決了5G/6G智慧手機頻段需求增加所帶來的挑戰，更有助於在行動、物聯網與虛擬實境的裝置中，透過同時容納更多頻段來實現更快的資料傳輸。未來，我們將持續開發如5G毫米波晶片堆疊技術的解決方案，以滿足客戶對射頻晶片的需求。聯電擁有業界最完整的射頻前端模組晶片解決方案，提供包括行動裝置、Wi-Fi、汽車、物聯網和衛星通訊等廣泛應用的需求。RFSOI解決方案系列從130到40奈米的製程技術，以8吋及12吋晶圓生產，目前已完成超500個產品設計定案，出貨量更高達380多億顆。除了RFSOI技術外，聯電的6吋晶圓廠聯穎光電還提供化合物半導體砷化鎵（GaAs）及氮化鎵（GaN），以及射頻濾波器（RF filters）技術，可充分滿足市場對射頻前端模組應用的各種需求。
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